Wir sind in der Lage, unser Knowhow und apparative Möglichkeiten zu folgenden Techniken einzubringen:

• Polieren von Oberflächen mit lonenstrahlen zur Herstellung ultraglatter Oberflächen (Rauhigkeit 0,1 nm rms)
• Aufbringen von ultradünnen (> 1 nm Schichtdicke) Schichten zur Glättung rauher Oberflächen
• Aufbringen von x-y-graded Multischichten zur Asphärisierung von Reflexionsoptiken (sphärische Spiegel und Gitter) und zum lokalen Ausgleich von Figurenfehlem (Korrekturbereich nm bis µm mit 0,1 nm Genauigkeit)
• Beschichtung von ultrapräzisen Oberflächen mit Multischichten für die Anwendung als Reflexionsoptiken im weichen EUV- und Röntgenbereich (40 bis 1000 eV bzw. 1 bis 30 nm): Spiegel, Gitter, Etalons, Polarisatoren, Viertelwellenplättchen; planar, sphärisch, beliebig asphärisch; auch lateral strukturiert und auch in Transmission; Größen von 3 bis 150 mm Durchmesser; Beschichtung durch UHV-e-beam Verdampfen und MOCVD.
• Analyse- und Mikroskopieverfahren (in situ und ex situ)
  • Transmissionselektronenmikroskopie TEM einschließlich Querschnittpräparation
  • Rasterelektronenmikroskopie SEM
  • UHV-Tunnelmikroskopie STM
  • Luft und UHV Kraftmikroskopie AFM
  • ortsaufgelöste EUV-Reflektometrie
  • Röntgenbeugung und -reflektometrie
  • Ionenrückstreuung RBS zur Multischichtanalyse
  • Raster-Auger
  • Sputter-Auger
  • Photoelektronenmikroskopie XPS-PEEM
  • Computersimulation der Beschichtungs- und Analyseverfahren

In Zusammenarbeit mit der Firma Carl Zeiss, Oberkochen, der PTB Berlin u.a. und mit finanzieller Unterstützung des BMBF u.a. konnten in der 20-köpfigen Nanotechnologie-Arbeitsgruppe der Universität Bielefeld in den vergangenen 10 Jahren das Knowhow und die apparativen Einrichtungen zu o.a. Techniken entwickelt werden. Insbesondere wurden erste ultrapräzise ML-Beschichtungen von Asphären- und Gittersubstraten für EUV vorgenommen.